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IXGX120N120A3

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	215K
描述
GenX3 A3-Class IGBTs

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IXGX120N120A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	240 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	830 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1365 ns
标称接通时间 (ton)：	105 ns	Base Number Matches：	1

IXGX120N120A3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TMA3-Class

IGBTs

V_CES= 1200V

I_C110= 120A

V_CE(sat)≤ 2.20V

IXGK120N120A3

IXGX120N120A3

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

1200

±20

(TAB)

V_CGR

V_GES

PLUS 247^TM(IXGX)

V_GEM

Transient

±30

I_C25

T_C= 25°C ( Chip Capability )

T_C= 110°C

240

120

I_C110

I_LRMS

I_CM

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

600

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 240

(TAB)

@ 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

830

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_J

-55 ... +150

150

°C

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

Features

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zSquare RBSOA

^zHigh Avalanche Capability

^zInternational Standard Packages

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

^zLow Gate Drive Requirement

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= 0V

I_C= 1mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

Applications

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

50 μA

T_J= 125°C

3 mA

^zMotor Drives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±400 nA

^zSMPS

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

1.85 2.20

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

DS99977(02/09)

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