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Datasheet > IXGX40N60BD1
IXGX40N60BD1 PDF预览

IXGX40N60BD1

更新时间： 2024-11-18 21:14:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN

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IXGX40N60BD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：570 ns
标称接通时间 (ton)：55 nsBase Number Matches：1

IXGX40N60BD1 数据手册

 浏览型号IXGX40N60BD1的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFASTTM  
IXGX 40N60BD1  
VCES  
IC25  
= 600 V  
= 75 A  
= 2.1 V  
= 180 ns  
IGBT with Diode  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
PreliminaryData  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
PLUS247  
(IXGX)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
(TAB)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G = Gate  
C = Collector  
IC25  
IC110  
ICM  
TC  
TC = 110°C  
TC 25°C, 1 ms  
=
25°C  
75  
40  
150  
A
A
A
E = Emitter  
Tab = Collector  
=
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load  
ICM = 80  
@ 0.8 VCES  
A
Features  
PC  
TC = 25°C  
250  
W
• International standard package  
PLUS247 (hole-less TO-247)  
• High frequency IGBT and antparallel  
FRED in one package  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
• New generation HDMOSTM process  
• High current handling capability  
Md  
Mounting torque, TO-264  
1.13/10 Nm/lb.in.  
• MOS Gate turn-on fordrive simplicity  
Weight  
5
g
• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
with soft recovery and low IRM  
Applications  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
Symbol  
BVCES  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ. Max.  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Switch-mode and resonant-mode  
IC = 750 µA, VGE = 0 V  
IC = 500 µA, VCE = VGE  
600  
V
power supplies  
VGE(th)  
ICES  
2.5  
5.0  
V
Advantages  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
650 µA  
mA  
3
• Space savings (two devices on one  
package  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
2.1  
• Easy to mount with 1 screw  
VCE(sat)  
IC = IC90, V = 15 V  
1.6  
V
Pulse test, tG<E 300µs,duty cycle < 2%  
• Easy spring clip assembly  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS98801A(01/03)  
12

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