Datasheet > IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	245K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGX50N120C3H1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXGX50N120C3H1 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM1200V

IGBTs w/ Diode

V_CES= 1200V

I_C100= 50A

V_CE(sat)≤ 4.2V

t_fi(typ)= 64ns

IXGK50N120C3H1

IXGX50N120C3H1

High-Speed PT IGBTs

for 20 - 50 kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

Tab

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

PLUS247 (IXGX)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C100

I_F110

T_C= 25°C ( Chip Capability )

T_C= 100°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

240

Tab

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

G = Gate

C = Collector

= Emitter

Tab = Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Features

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

^zHigh Avalanche Capability

^zAvalanche Rated

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

Applications

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

250 μA

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

Note 1,T_J= 125°C

14 mA

^zMotor Drives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

^zSMPS

V_CE(sat)

I_C= 40A, V_GE= 15V, Note 2

4.2

^zPFC Circuits

T_J= 125°C

2.6

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

DS100163A(08/12)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXGX50N120C3H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGX50N60A2D1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXGX50N60A2U1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3PIN
IXGX50N60AU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60AU1S	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60C2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX50N90B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGX50N90B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

与IXGX50N120C3H1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1 技术参数

IXGX50N120C3H1 数据手册

与IXGX50N120C3H1相关器件

与IXGX50N120C3H1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1 技术参数

IXGX50N120C3H1 数据手册

与IXGX50N120C3H1相关器件

与IXGX50N120C3H1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？