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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.28 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 180 A | 集电极-发射极最大电压： | 2500 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 735 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 420 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 305 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGX82N120A3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs |
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| IXGX82N120A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGX82N120B3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs |
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| IXGX82N120B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGY2N120 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, TO-252AA, |
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| IXHH40N150HV | LITTELFUSE |
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MOS栅控晶闸管专为大功率脉冲和电容放电应用而设计，由施加在栅极的电压接通（MOS结构）。 |
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| IXHQ100 | IXYS |
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Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter |
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| IXHQ100PI | IXYS |
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Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter |
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| IXHQ100SI | IXYS |
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Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter |
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| IXHX40N150V1HV | LITTELFUSE |
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MOS栅控晶闸管专为大功率脉冲和电容放电应用而设计，由施加在栅极的电压接通（MOS结构）。 |
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