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IXGX72N60B3H1

更新时间： 2024-09-16 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 308K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。 由于兼具

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IXGX72N60B3H1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Base Number Matches：1

IXGX72N60B3H1 数据手册

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GenX3TM 600V  
IGBT w/ Diode  
IXGK72N60B3H1  
IXGX72N60B3H1  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 72A  
£ 1.8V  
= 92ns  
Medium Speed Low Vsat PT  
IGBTs 5-40 kHz Switching  
TO-264 (IXGK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
TJ = 25C to 150C, RGE = 1M  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
PLUS247 (IXGX)  
IC25  
TC = 25C ( Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110C  
178  
160  
72  
A
A
A
A
ILRMS  
IC110  
ICM  
G
TC = 25C, 1ms  
450  
C
Tab  
E
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125C, RG = 3  
ICM = 240  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@ VCE VCES  
G = Gate  
E
= Emitter  
C = Collector  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25C  
540  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Optimized for Low Conduction and  
Switching Losses  
Square RBSOA  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
20..120 /4.5..27  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
VCE = VCES, VGE = 0V  
300 A  
5 mA  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
IC = 120A  
1.50  
1.75  
1.80  
V
V
DS99869C(01/16)  
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGX72N60C3H1 IXYS

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 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGX72N60C3H1 LITTELFUSE

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IXGX75N250 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS247,
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IXGX82N120A3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, TO-252AA,
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