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IXGX55N120A3H1

更新时间： 2024-11-19 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	151K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGX55N120A3H1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXGX55N120A3H1 数据手册

Advance Technical Information

GenX3^TM1200V

IGBTs w/ Diode

V_CES= 1200V

I_C110= 55A

V_CE(sat)≤ 2.3V

IXGK55N120A3H1

IXGX55N120A3H1

Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for

up to 3kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

1200

±20

Tab

V_CGR

V_GES

V_GEM

Transient

±30

PLUS247^TM(IXGX)

I_C25

T_C= 25°C ( Chip Capability )

T_C= 110°C

125

I_C110

I_LRMS

I_CM

T_C= 25°C (Lead RMS Limit)

T_C= 25°C, 1ms

120

400

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 110

Tab

@ 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

460

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_J

-55 ... +150

150

°C

Tab = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

Features

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

3.0

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

100 μA

Note 1, T_J= 125°C

2.0 mA

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 2

T_J= 125°C

1.85

1.90

2.3

DS100227(01/10)

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGX60N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX60N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGX64N60B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGX64N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX72N60A3H1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT w/Diode
IXGX72N60A3H1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGX72N60B3H1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGX72N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX72N60C3H1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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