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IXGX72N60A3H1

更新时间： 2024-11-06 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 325K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGX72N60A3H1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Base Number Matches：1

IXGX72N60A3H1 数据手册

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Preliminary Technical Information  
GenX3TM 600V IGBT  
w/Diode  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 72A  
£ 1.35V  
= 250ns  
IXGK72N60A3H1  
IXGX72N60A3H1*  
*Obsolete Part Number  
Ultra-Low Vsat PT IGBTs for  
up to 5kHz Switching  
TO-264 (IXGK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
TJ = 25C to 150C, RGE = 1M  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
PLUS247 (IXGX)  
IC25  
TC = 25C  
75  
72  
A
A
A
A
A
IC110  
TC = 110C  
TC = 110C  
TC = 25C, 1ms  
VGE = 15V, TVJ = 125C, RG = 3  
Clamped Inductive Load  
IF110  
68  
G
C
ICM  
400  
Tab  
E
SSOA  
(RBSOA)  
ICM = 150  
VCE VCES  
G = Gate  
E
= Emitter  
C = Collector  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25C  
540  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13 / 10  
20..120 / 4.5..27  
Nm/lb.in  
N/lb  
Optimized for Low Conduction Losses  
Square RBSOA  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
300  
C  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
International Standard Packages  
TSOLD  
Weight  
260C  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Power Inverters  
UPS  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
VCE = VCES, VGE = 0V  
300  
5
A  
mA  
Motor Drives  
TJ = 125C  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Inrush Current Protection Circuits  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100  
nA  
V
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
1.35  
DS100144A(8/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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与IXGX72N60A3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGX72N60B3H1 IXYS

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 		GenX3 600V IGBT with Diode
IXGX72N60B3H1 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX72N60C3H1 IXYS

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 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGX72N60C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS247,
IXGX75N250 IXYS

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 		GenX3 1200V IGBTs
IXGX82N120A3 LITTELFUSE

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 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGX82N120B3 IXYS

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 		GenX3 1200V IGBTs
IXGX82N120B3 LITTELFUSE

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