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IXGX60N60B2D1

更新时间： 2024-11-05 03:14:35

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	623K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGX60N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	550 ns
标称接通时间 (ton)：	64 ns	Base Number Matches：	1

IXGX60N60B2D1 数据手册

Advance Technical Data

HiPerFAST^TM

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

< 1.8 V

= 100 ns

IXGK60N60B2D1

IXGX 60N60B2D1

IGBT with Diode

V_CE(sat)

t_fi(typ)

Optimized for 10-25 kHz

hard switching and up to

100 kHz resonant switching

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-264 AA

(IXGK)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

PLUS247

(IXGX)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

300

(TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600 V

I_CM= 150

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Square RBSOA

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on for drive simplicity

M_d

Mounting torque, TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

Weight

TO-264

PLUS247

with soft recovery and low I_RM

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V_CE= V

300

µA

V_GE= 0^CV^ES

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100

1.8

• Space savings (two devices in one

package)

• Easy to mount with 1 screw

V_CE(sat)

I_C= 50 A, V_GE= 15 V

Note 1

DS99114(11/03)

12 3 4 5 6

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IXGX72N60A3H1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
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IXGX75N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS247,

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