Datasheet > IXGX60N60B2D1

IXGX60N60B2D1

更新时间： 2024-11-18 03:14:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	623K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGX60N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	550 ns
标称接通时间 (ton)：	64 ns	Base Number Matches：	1

IXGX60N60B2D1 数据手册

Advance Technical Data

HiPerFAST^TM

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

< 1.8 V

= 100 ns

IXGK60N60B2D1

IXGX 60N60B2D1

IGBT with Diode

V_CE(sat)

t_fi(typ)

Optimized for 10-25 kHz

hard switching and up to

100 kHz resonant switching

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-264 AA

(IXGK)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

PLUS247

(IXGX)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

300

(TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600 V

I_CM= 150

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Square RBSOA

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on for drive simplicity

M_d

Mounting torque, TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

Weight

TO-264

PLUS247

with soft recovery and low I_RM

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V_CE= V

300

µA

V_GE= 0^CV^ES

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100

1.8

• Space savings (two devices in one

package)

• Easy to mount with 1 screw

V_CE(sat)

I_C= 50 A, V_GE= 15 V

Note 1

DS99114(11/03)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXGX60N60B2D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGX72N60B3H1	IXYS	类似代替	GenX3 600V IGBT with Diode

与IXGX60N60B2D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGX60N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGX64N60B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGX64N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX72N60A3H1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT w/Diode
IXGX72N60A3H1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGX72N60B3H1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGX72N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX72N60C3H1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGX72N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX75N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS247,

与IXGX60N60B2D1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGX60N60B2D1

IXGX60N60B2D1 技术参数

IXGX60N60B2D1 数据手册

IXGX60N60B2D1 替代型号

与IXGX60N60B2D1相关器件

与IXGX60N60B2D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGX60N60B2D1

IXGX60N60B2D1 技术参数

IXGX60N60B2D1 数据手册

IXGX60N60B2D1 替代型号

与IXGX60N60B2D1相关器件

与IXGX60N60B2D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？