Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGX64N60B3D1

IXGX64N60B3D1

更新时间： 2024-11-05 11:08:07

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
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7页	181K
描述
GenX3 600V IGBT with Diode

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IXGX64N60B3D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	64 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	460 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	326 ns
标称接通时间 (ton)：	64 ns	Base Number Matches：	1

IXGX64N60B3D1 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

with Diode

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 64A

≤£ 1.8V

= 88ns

IXGK64N60B3D1

IXGX64N60B3D1

Medium speed low Vsat PT

IGBTs 5-40 kHz switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C110

T_C= 110°C

400

PLUS247 (IXGX)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

I_CM= 200

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600V

T_C= 25°C

460

TAB

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

= Collector

-55 ... +150

E = Emitter

TAB = Collector

M_d

F_C

Mounting torque (TO-264)

Mounting force (PLUS247)

1.13 / 10

20..120 / 4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Features

T_L

T_SOLD

Maximum lead temperature for soldering

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

260

°C

^zOptimized for low conduction and

switching losses

Weight

TO-264

PLUS247

^zSquare RBSOA

^zAnti-parallel ultra fast diode

^zInternational standard packages

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Applications

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

700

2.5 mA

μA

^zMotor Drives

^zSMPS

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100

1.80

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

1.59

DS99939A(06/08)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGX72N60A3H1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
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IXGX72N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX72N60C3H1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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IXGX82N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
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