是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 64 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 460 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 326 ns |
标称接通时间 (ton): | 64 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGX72N60A3H1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT w/Diode | |
IXGX72N60A3H1 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGX72N60B3H1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT with Diode | |
IXGX72N60B3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGX72N60C3H1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGX72N60C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGX75N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS247, | |
IXGX75N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS247, | |
IXGX82N120A3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs | |
IXGX82N120A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |