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IXGX320N60A3 PDF预览

IXGX320N60A3

更新时间： 2024-11-19 14:56:39
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 277K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGX320N60A3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

IXGX320N60A3 数据手册

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GenX3TM 600V IGBT  
VCES = 600V  
IC110 = 210A  
VCE(sat) 1.30V  
IXGK320N60A3  
IXGX320N60A3  
Ultra-Low Vsat PT IGBTs for  
up to 5kHz Switching  
TO-264 (IXGK)  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M  
Continuous  
Maximum Ratings  
600  
600  
±20  
±30  
V
V
V
V
G
C
E
VCGR  
VGES  
Tab  
VGEM  
Transient  
PLUS247 (IXGX)  
IC25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
320  
210  
160  
700  
A
A
A
A
IC110  
ILRMS  
ICM  
Terminal Current Limit  
TC = 25°C, 1ms  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15V, TVJ = 125°C, RG = 1  
Clamped Inductive Load  
ICM = 320  
A
G
C
@ 0.8 • VCES  
Tab  
E
PC  
TC = 25°C  
1000  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
Tab = Collector  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
FC  
Mounting Torque (IXGK)  
Mounting Force (IXGX)  
1.13/10  
20..120/4.5..27  
Nm/lb.in  
N/lb  
Optimized for Low Conduction Losses  
High Avalanche Capability  
International Standard Packages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 1mA, VGE = 0V  
IC = 4mA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
600  
V
V
Power Inverters  
UPS  
3.0  
5.5  
Motor Drives  
150 μA  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Inrush Current Protection Circuits  
TJ = 125°C  
1.5 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±400 nA  
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
IC = 320A  
1.05 1.30  
1.46  
V
V
DS99583D(04/14)  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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与IXGX320N60A3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGX320N60B3 IXYS

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 		GenX3 600V IGBTs
IXGX320N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX32N170AH1 IXYS

获取价格

 		Advance Technical Information High Voltage IGBT with Diode
IXGX32N170AH1 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:?
IXGX32N170H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS247,
IXGX32N170H1 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:?
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