Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGX120N60C2

IXGX120N60C2

更新时间： 2024-09-13 12:20:19

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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6页	193K
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HiPerFAST IGBT Lightspeed 2 Series

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IXGX120N60C2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	257 ns
标称接通时间 (ton)：	100 ns	Base Number Matches：	1

IXGX120N60C2 数据手册

Preliminary Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES= 600V

I_C110= 120A

V_CE(sat)≤ 2.5V

IXGK120N60C2

IXGX120N60C2

Lightspeed 2^TMSeries

t_fi(typ)

= 80ns

TO-264(IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

(TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C (chip capability)

T_C= 25°C, 1ms

120

500

PLUS247(IXGX)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 200

(RBSOA)

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600V

P_C

T_C= 25°C

830

(TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

C = Collector

TAB = Collector

-55 ... +150

E = Emitter

M_d

F_C

Mounting torque (TO-264)

Mounting force (PLUS247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

N/lb

20..120/4.5..27

Features

^zVery high frequency IGBT

^zSquare RBSOA

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

T_SOLD

Weight

TO-264

PLUS247

- drive simplicity

Applications

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

^zAC motor speed control

^zDC servo and robot drives

^zDC choppers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1mA, V_GE= 0V

600

3.0

Advantages

I_C= 500μA, V_CE= V_GE

5.5

^zHigh power density

^zVery fast switching speeds for high

frequency applications

^zHigh power surface mountable

packages

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

100 μA

2 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

± 200 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

2.1

1.6

2.5

DS99515A(11/07)

12 3 4 5 6

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