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| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 593K |  |
| 描述 | ||
| Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1030 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 105 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGX40N60BD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN |
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| IXGX50N120C3H1 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs w/ Diode |
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| IXGX50N120C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGX50N60A2D1 | IXYS |
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IGBT with Diode |
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| IXGX50N60A2U1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3PIN |
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| IXGX50N60AU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGX50N60AU1S | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGX50N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGX50N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGX50N60C2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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