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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 70 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 480 ns | 标称接通时间 (ton)： | 86 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGX400N30A | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGX400N30A3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBTs |
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| IXGX400N30A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGX40N120BD1 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN |
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| IXGX40N60BD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN |
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| IXGX50N120C3H1 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs w/ Diode |
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| IXGX50N120C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGX50N60A2D1 | IXYS |
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IGBT with Diode |
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| IXGX50N60A2U1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3PIN |
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| IXGX50N60AU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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