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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 920 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 90 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGX35N120B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGX35N120B | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGX35N120BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGX35N120C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGX35N120CD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGX400N30A | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGX400N30A3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBTs |
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| IXGX400N30A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGX40N120BD1 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN |
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| IXGX40N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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