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IXGX320N60B3

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	222K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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IXGX320N60B3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

IXGX320N60B3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V

IGBTs

V_CES= 600V

I_C90= 320A

V_CE(sat)≤ 1.6V

IXGK320N60B3

IXGX320N60B3

Medium-Speed Low-Vsat PT

IGBTs for 5-40 kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

600

±20

±30

Tab

V_CGR

V_GES

PLUS247 (IXGX)

V_GEM

Transient

I_C25

I_C90

I_LRMS

I_CM

T_C= 25°C ( Chip Capability )

T_C= 90°C

500

320

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

160

1200

Tab

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 320

V_CE< V_CES

G = Gate

= Emitter

C = Collector

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

1700

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

^zHigh Current Capability

^zSquare RBSOA

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

75 μA

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

2 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±400 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 320A

1.4

2.0

1.6

DS100157A(05/10)

12 3 4 5 6 7

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