Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGX35N120B

IXGX35N120B

更新时间： 2024-09-14 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
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2页	1847K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGX35N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	320 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	660 ns
标称接通时间 (ton)：	86 ns	Base Number Matches：	1

IXGX35N120B 数据手册

Preliminary Data Sheet

HiPerFAST^TMIGBT

IXGK 35N120B

IXGX 35N120B

IXGK 35N120BD1

IXGX 35N120BD1

V_CES= 1200 V

I_C25

70 A

V_CE(sat)= 3.3 V

t_fi(typ)= 160 ns

(D1)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-264 AA (IXGK)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

140

PLUS 247^TM(IXGX)

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 Ω

= 90

(RBSOA)

C^Gla^Emped inductive load

@ 0^C.8^MV_CES

350

P_C

T_C= 25°C

C (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate,

C = Collector,

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

E = Emitter,

TAB = Collector

Features

M_d

Mounting torque (M3) (IXGK)

1.13/10Nm/lb.in.

●

International standard packages

JEDEC TO-264 and PLUS247^TM

Weight

TO-264AA

PLUS247^TM

●

Low switching losses, low V_(sat)

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

●

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

AC motor speed control

●

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

DC servo and robot drives

●

min. typ. max.

DC choppers

Uninterruptible power supplies

●

BV_CES

V_GE(th)

= 1 mA, V = 0 V

1200

2.5

I_C^C= 750 µA,^GV^E_CE= V_GE

(UPS)

●

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

250

µA

V_GE= 0^CV^ES

Advantages

●

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

High power density

●

Easy to mount with 1 screw,

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

3.3

(isolated mounting screw hole)

T_J= 125°C

2.7

●

Spring clip or clamp assembly

possible.

DS98960 (10/02)

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