Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGX120N60B

IXGX120N60B

更新时间： 2024-09-09 22:11:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGX120N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	280 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	560 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	540 ns	标称接通时间 (ton)：	120 ns
Base Number Matches：	1

IXGX120N60B 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

IXGK 120N60B

IXGX 120N60B

V_CES= 600 V

I_C25= 200 A

V_CE(sat)= 2.1 V

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

PLUS247^TM

(IXGX)

V_CES

V_CGR

T_J= 25 °C to 150 °C

T_J= 25 °C to 150 °C; R_GS= 1 MW

600

V_CES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_L(RMS)

I_CM

T_C= 25 °C

T_C= 90 °C

Externalleadlimit

T_C= 25°C, 1 ms

200

120

TO-264 AA

(IXGK)

300

SSOA

_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 2.4 W

I_CM= 200

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

G = Gate

E = Emitter

TAB = Collector

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

C = Collector

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

• Internationalstandardpackages

• Very high current, fast switching IGBT

• Low V_CE(sat)

Weight

PLUS 247

TO-264

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

Applications

Symbol

BV_CES

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

min. typ. max.

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 1 mA, V_CE= V_GE

600

V_GE(th)

I_CES

2.5

5.5

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

Advantages

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±400 nA

• Space savings

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.1 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98602(3/99)

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IXGX120N60B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGX120N60B3	IXYS	类似代替	GenX3 600V IGBTs
IXSX80N60B	IXYS	类似代替	High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
APT60GT60BRG	MICROSEMI	功能相似	Power Semiconductors Power Modules

与IXGX120N60B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGX120N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBTs
IXGX120N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX120N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed 2 Series
IXGX12N90C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGX28N140B3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
IXGX320N60A3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGX320N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGX320N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBTs
IXGX320N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX32N170AH1	IXYS	获取价格	Advance Technical Information High Voltage IGBT with Diode

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