5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 64 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 150 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 460 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 326 ns | 标称接通时间 (ton)： | 64 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGT6N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
|
| IXGT6N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
|
| IXGT6N170A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
|
| IXGT6N170A | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
|
| IXGT6N170AHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXGT6N170AHV-TRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXGT72N60A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT |
|
| IXGT72N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
|
| IXGT72N60A3-TRL | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXGT72N60B3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 B3-Class IGBTs |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
