Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGT72N60A3-TRL

IXGT72N60A3-TRL

更新时间： 2024-11-18 13:08:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	199K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXGT72N60A3-TRL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXGT72N60A3-TRL 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

IXGH72N60A3

IXGT72N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 72A

Ultra Low Vsat PT IGBT for

up to 5kHz switching

V_CE(sat)≤ 1.35V

t_fi(typ)= 250ns

TO-247 (IXGH)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

TO-268 (IXGT)

T_C= 25°C, 1ms

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600V

I_CM= 150

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

540

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

= Collector

E = Emitter

TAB = Collector

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zOptimized for low conduction losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Applications

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

3.0

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

75 μA

750 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.35

DS99759B(07/08)

12 3 4 5 6

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