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IXGT6N170A

更新时间： 2024-09-14 14:56:31

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXGT6N170A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.61	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	65 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	271 ns	标称接通时间 (ton)：	91 ns
Base Number Matches：	1

IXGT6N170A 数据手册

V_CES

I_C25

V_CE(sat) 7.0V

t_fi(typ)= 32ns

= 1700V

= 6A

High Voltage

IGBT

IXGT6N170A

IXGH6N170A

TO-268 (IXGT)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

1700

C (Tab)

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-247 (IXGH)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

C (Tab)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 33

I_CM= 12

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ 0.8 • V_CES

G = Gate

E = Emitter

= Collector

t_SC

P_C

T_J= 125C, V_CE= 1200 V, V_GE= 15 V, R_G= 33

10s

Tab = Collector

T_C= 25°C

T_J

- 55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

Features

- 55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^International Standard Packages

^High Voltage Package

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Advantages

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

^Power Inverters

^UPS

5.0

10 μA

^Motor Drives

^SMPS

^PFC Circuits

^Welding Machines

T_J= 125°C

500 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

7.0

5.4

DS98990C(9/15)

12 3 4 5 6

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