Datasheet > IXGT72N60A3

IXGT72N60A3

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	227K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT72N60A3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

IXGT72N60A3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

IXGH72N60A3

IXGT72N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 72A

Ultra Low Vsat PT IGBT for

up to 5kHz switching

V_CE(sat)≤ 1.35V

t_fi(typ)= 250ns

TO-247 (IXGH)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

TO-268 (IXGT)

T_C= 25°C, 1ms

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600V

I_CM= 150

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

540

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

= Collector

E = Emitter

TAB = Collector

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zOptimized for low conduction losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Applications

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

3.0

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

75 μA

750 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.35

DS99759B(07/08)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXGT72N60A3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT72N60A3-TRL	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGT72N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 B3-Class IGBTs
IXGT72N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGV25N250S	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications
IXGV32N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS220SM
IXGX100N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGX120N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 A3-Class IGBTs
IXGX120N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGX120N120B3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGX120N120B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

与IXGT72N60A3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT72N60A3

IXGT72N60A3 技术参数

IXGT72N60A3 数据手册

与IXGT72N60A3相关器件

与IXGT72N60A3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT72N60A3

IXGT72N60A3 技术参数

IXGT72N60A3 数据手册

与IXGT72N60A3相关器件

与IXGT72N60A3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？