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IXGT6N170AHV

更新时间： 2024-11-18 19:33:35

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力特 - LITTELFUSE		栅
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6页	199K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXGT6N170AHV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.61	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXGT6N170AHV 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

IGBT

V_CES= 1700V

I_C25= 6A

V_CE(sat)≤ 7.0V

t_fi(typ)= 32ns

IXGT6N170AHV

TO-268

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Tab = Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 33Ω

I_CM= 12

ꢀ

High Blocking Voltage

High Voltage Package

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

0.8 • V_CES

ꢀ

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 1200V, T_J= 125°C

μs

(SCSOA)

R_G= 33Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

Advantages

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

ꢀ

High Power Density

ꢀ

-55 ... +150

Easy to Mount

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Weight

Applications

ꢀ

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Welding Machines

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

ꢀ

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.

ꢀ

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

ꢀ

5.0

10 μA

500 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 3A, V_GE= 15V, Note 1

7.0

5.4

DS100476(01/13)

12 3 4 5 6

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