Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGT72N60A3

IXGT72N60A3

更新时间： 2024-09-13 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	199K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGT72N60A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	540 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	885 ns	标称接通时间 (ton)：	61 ns
Base Number Matches：	1

IXGT72N60A3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

IXGH72N60A3

IXGT72N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 72A

Ultra Low Vsat PT IGBT for

up to 5kHz switching

V_CE(sat)≤ 1.35V

t_fi(typ)= 250ns

TO-247 (IXGH)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

TO-268 (IXGT)

T_C= 25°C, 1ms

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600V

I_CM= 150

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

540

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

= Collector

E = Emitter

TAB = Collector

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zOptimized for low conduction losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Applications

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

3.0

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

75 μA

750 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.35

DS99759B(07/08)

12 3 4 5 6

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