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IXGT64N60B3

更新时间： 2023-12-06 20:13:09

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	239K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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IXGT64N60B3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

IXGT64N60B3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

IXGH64N60B3*

V_CES= 600V

I_C110= 64A

V_CE(sat)≤ 1.8V

t_fi(typ)= 88ns

IXGT64N60B3

*Obsolete Part Number

Medium speed low Vsat PT

IGBTs for 5 - 40kHz switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

400

TO-268 (IXGT)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

I_CM= 200

(RBSOA) Clamped inductive load @ ≤ 600V

P_C

T_C= 25°C

460

T_J

-55 ... +150

150

°C

C (TAB)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate

= Collector

E = Emitter TAB = Collector

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zOptimized for low conduction and

switching losses

Weight

TO-247

TO-268

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

^zPower Inverters

^zUPS

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

5.0

^zMotor Drives

^zSMPS

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

50 μA

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

500 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

1.59 1.80

DS99971(04/08)

12 3 4 5 6 7

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