5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGT60N60B2
IXGT60N60B2 PDF预览

IXGT60N60B2

更新时间： 2024-02-04 17:19:14
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 579K
描述
Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGT60N60B2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-268AA
包装说明：TO-268, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：550 ns
标称接通时间 (ton)：64 nsBase Number Matches：1

IXGT60N60B2 数据手册

 浏览型号IXGT60N60B2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGT60N60B2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGT60N60B2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGT60N60B2的Datasheet PDF文件第5页 
Advance Technical Data  
HiPerFASTTM IGBT  
VCES  
IC25  
= 600 V  
= 75 A  
IXGH 60N60B2  
IXGT 60N60B2  
VCE(sat) < 1.8 V  
tfityp = 100 ns  
Optimized for 10-25 kHz hard  
switching and up to 100 KHz  
resonant switching  
TO-268  
(IXGT)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
G
E
C (TAB)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (limited by leads)  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1 ms  
75  
60  
300  
A
A
A
TO-247 AD  
(IXGH)  
TAB)  
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load @ ≤ 600 V  
TC = 25°C  
ICM = 150  
A
G
C
E
500  
W
G = Gate,  
C = Collector,  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
Features  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
z
Medium frequency IGBT  
Square RBSOA  
z
z
z
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10Nm/lb.in.  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
Weight  
TO-247 AD  
6
4
g
g
- drive simplicity  
TO-268 SMD  
Applications  
z
PFC circuits  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
z
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
z
AC motor speed control  
z
DC servo and robot drives  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
z
DC choppers  
VCE = V  
T = 25°C  
50  
µA  
VGE = 0CVES  
TJJ = 150°C  
1
100  
1.8  
mA  
nA  
V
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
VCE(sat)  
IC = 50 A, VGE = 15 V  
Note 1.  
TJ = 25°C  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS99113(11/03)  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXGT60N60B2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGT60N60C2 IXYS

获取价格

 		HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGT60N60C3D1 IXYS

获取价格

 		GenX3 600V IGBTs with Diode
IXGT60N60C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT64N60A3 IXYS

获取价格

 		GenX3 600V IGBT
IXGT64N60A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGT64N60B3 IXYS

获取价格

 		GenX3 600V IGBT
IXGT64N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT6N170 IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT
IXGT6N170 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:?
IXGT6N170A IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT

与IXGT60N60B2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证