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IXGT45N120

更新时间： 2024-02-16 01:33:23

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	66K
描述
IGBT

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IXGT45N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	700 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1400 ns
标称接通时间 (ton)：	96 ns	Base Number Matches：	1

IXGT45N120 数据手册

IXGH 45N120 V

IXGT 45N120 I

= 1200 V

75 A

= 2.5 V

= 390 ns

CES

IGBT

HighVoltage,LowV

C25

CE(sat)

fi(typ)

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C, limited by leads

T_C= 90°C

TO-247AD(IXGH)

T_C= 25°C, 1 ms

180

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 90

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

300

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

International standard packages

JEDEC TO-268 and

JEDEC TO-247 AD

High current handling capability

MOS Gate turn-on

260

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

- drive simplicity

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

power supplies

Capacitor discharge

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 750 µA, V_CE= V_GE

1200

2.5

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

µA

Advantages

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

Suitable for surface mounting

Easy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.5

98666A (11/01)

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