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IXGT32N120A3

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	223K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGT32N120A3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXGT32N120A3 数据手册

GenX3^TM1200V

IGBTs

V_CES= 1200V

I_C110= 32A

V_CE(sat)≤ 2.35V

IXGH32N120A3

IXGT32N120A3

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3 kHz Switching

TO-268 (IXGT)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

C (Tab)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 (IXGH)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

230

I_A

E_AS

T_C= 25°C

C (Tab)

120

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 20Ω

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

I_CM= 150

V_CE≤ 0.8 • V_CES

300

G = Gate

E = Emitter

= Collector

Tab = Collector

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Optimized for Low Conduction Losses

International Standard Packages

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

4.0

Advantages

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

Power Inverters

Capacitor Discharge

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

50 μA

T_J= 125°C

1 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

2.35

Lamp Ballasts

Inrush Current Protection Circuits

I_C= 400A, V_GE= 30V, Note 1

DS99608C(03/11)

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