型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGT30N60C2D1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGT30N60C3D1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT with Diode | |
IXGT30N60C3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGT31N60 | IXYS |
获取价格 |
Ultra-Low VCE(sat) IGBT | |
IXGT31N60D1 | IXYS |
获取价格 |
Ultra-Low V IGBT with Diode | |
IXGT32N100A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1000V IGBT | |
IXGT32N100A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGT32N120A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1200V | |
IXGT32N120A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGT32N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |