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IXGT31N60

更新时间： 2024-02-04 18:30:02

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
Ultra-Low VCE(sat) IGBT

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IXGT31N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	800 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	15 ns
Base Number Matches：	1

IXGT31N60 数据手册

Ultra-Low V_CE(sat)IGBT

IXGH 31N60 V_CES

IXGT 31N60 I_C25

= 600 V

= 60 A

V_CE(sat)= 1.7 V

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 62

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque(M3)TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Internationalstandardpackage

• Low V_CE(sat)

- forminimumon-stateconduction

losses

Weight

TO-247

TO-268

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

min. typ. max.

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

500 mA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Low losses, high efficiency

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

1.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92795G(7/00)

1 - 2

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