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IXGT30N60C3D1

更新时间： 2024-11-06 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 291K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。 由于兼具

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IXGT30N60C3D1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.73外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-268AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：220 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：160 ns
标称接通时间 (ton)：45 nsBase Number Matches：1

IXGT30N60C3D1 数据手册

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GenX3TM 600V IGBTs  
w/ Diode  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 30A  
≤ 3.0V  
= 47ns  
IXGH30N60C3D1  
IXGT30N60C3D1*  
*Obsolete Part Number  
High-Speed PT IGBTs for  
40-100 kHz Switching  
TO-268 (IXGT)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
VCES  
VCGR  
TC = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
E
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
V
C (Tab)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
TO-247 (IXGH)  
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25°C  
60  
30  
30  
A
A
A
A
TC = 110°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
150  
G
C
E
SSOA  
V
GE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω  
ICM = 60  
A
C (Tab)  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@ ≤ VCES  
PC  
TC = 25°C  
220  
W
G = Gate  
C
= Collector  
E = Emitter  
Tab = Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
TSOLD  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
z Optimized for Low Switching Losses  
z Square RBSOA  
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z International Standard Packages  
Weight  
TO-268  
TO-247  
4
6
g
g
Advantages  
z High Power Density  
z Low Gate Drive Requirement  
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VCE = VGE  
3.0  
5.5  
V
Applications  
VCE = VCES, VGE = 0V  
75 μA  
1 mA  
z High Frequency Power Inverters  
z UPS  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
z Motor Drives  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±100 nA  
z SMPS  
VCE(sat)  
IC = 20A, VGE = 15V, Note 1  
2.6  
1.8  
3.0  
V
V
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
DS100013B(05/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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与IXGT30N60C3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGT31N60 IXYS

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 		Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGT31N60D1 IXYS

获取价格

 		Ultra-Low V IGBT with Diode
IXGT32N100A3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1000V IGBT
IXGT32N100A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
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IXGT32N170 IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT
IXGT32N170 LITTELFUSE

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 		功能与特色: 应用:?
IXGT32N170A IXYS

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 		功能与特色: 应用:?

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