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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 70 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 350 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 30 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGT30N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGT30N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT with Diode |
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| IXGT30N60BU1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
|
| IXGT30N60C2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGT30N60C2D1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGT30N60C3D1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT with Diode |
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| IXGT30N60C3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGT31N60 | IXYS |
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Ultra-Low VCE(sat) IGBT |
|
| IXGT31N60D1 | IXYS |
获取价格 |
Ultra-Low V IGBT with Diode |
|
| IXGT32N100A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1000V IGBT |
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