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IXGT30N60BU1

更新时间： 2024-11-04 22:07:07

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	142K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGT30N60BU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	430 ns
标称接通时间 (ton)：	60 ns	Base Number Matches：	1

IXGT30N60BU1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

with Diode

IXGH 30N60BU1

IXGT 30N60BU1

= 600 V

60 A

= 1.8 V

t_fi^CE(sat)= 100 ns

CES

C25

Combi Pack

TO-268

(IXGT)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

C (TAB)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

C (TAB)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

Clamped inductive load, L = 100 µH

I_CM= 60

@ 0.8 V_CES

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

200

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

International standard packages

JEDEC TO-247 SMD surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

T_JM

T_stg

-55 ... +150

High frequency IGBT and antiparallel

FRED in one package

Maximum Lead and Tab temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

High current handling capability

Newest generation HDMOS^TM

process

M_d

Mounting torque, TO-247 AD

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247 AD

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

min. typ. max.

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 750µA, V_GE= 0 V

BV_CEStemperature coefficient

600

2.5

%/K

0.072

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

V_GE(th)temperature coefficient

5.5

%/K

-0.286

Advantages

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

500

µA

Space savings (two devices in one

package)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

High power density

Optimized V_CE(sat)and switching

speeds for medium frequency

applications

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

1.8

2.0

T_J= 150°C

97501E (02/02)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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