Datasheet > IXGT2N250

IXGT2N250

更新时间： 2024-10-01 20:05:31

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	179K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT2N250 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5.5 A
集电极-发射极最大电压：	2500 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	32 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	278 ns	标称接通时间 (ton)：	115 ns
Base Number Matches：	1

IXGT2N250 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage IGBTs

V_CES= 2500V

I_C110= 2A

IXGH2N250

IXGT2N250

for Capacitor Discharge

Applications

V_CE(sat)≤ 3.1V

TO-247 (IXGH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (TAB)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

2500

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 (IXGT)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

5.5

2.0

13.5

SSOA

(RBSOA)

P_C

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 50Ω

I_CM= 6

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

V_CE≤ 2000

C (TAB)

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

^zHigh Power Density

Min.

Typ.

Max.

^zLow Gate Drive Requirement

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

2500

3.0

5.5

Applications

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

10 μA

100 μA

T_J= 125°C

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zCapacitor Discharge Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

2.6

3.1

T_J= 125°C

DS100162(06/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXGT2N250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT30N120B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGT30N120B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT30N60B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-268
IXGT30N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGT30N60BU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode

与IXGT2N250相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT2N250

IXGT2N250 技术参数

IXGT2N250 数据手册

与IXGT2N250相关器件

与IXGT2N250相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT2N250

IXGT2N250 技术参数

IXGT2N250 数据手册

与IXGT2N250相关器件

与IXGT2N250相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？