Datasheet > IXGT30N120B3D1

IXGT30N120B3D1

更新时间： 2024-11-21 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	214K
描述
GenX3 1200V IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT30N120B3D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	28 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	380 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	471 ns	标称接通时间 (ton)：	56 ns
Base Number Matches：	1

IXGT30N120B3D1 数据手册

GenX3^TM1200V IGBT

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 1200V

= 30A

≤£ 3.5V

= 204ns

IXGH30N120B3D1

IXGT30N120B3D1

High speed Low Vsat PT

IGBTs 3-20 kHz switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

I_C110

Continuous

±20

±30

Transient

T_C= 110°C

C (TAB)

I_F110

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

Clamped inductive load

T_C= 25°C

150

TO-268 (IXGT)

SSOA

(RBSOA)

P_C

I_CM= 60

@ 0.8 • V_CE

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

C (TAB)

T_JM

T_stg

G = Gate

E = Emitter

= Collector

TAB = Collector

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13 / 10

300

Nm/lb.in.

°C

T_L

Maximum lead temperature for soldering

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

T_SOLD

Weight

260

°C

Features

TO-247

TO-268

^zOptimized for low conduction and

switching losses

^zSquare RBSOA

^zAnti-parallel ultra fast diode

^zInternational standard packages

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

Applications

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

300

1.5 mA

μA

^zPower Inverters

^zUPS

T_J= 125°C

^zMotor Drives

^zSMPS

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100

3.5

^zPFC Circuits

^zWelding Machines

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

2.96

2.95

DS99566A(05/08)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

IXGT30N120B3D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGT30N60B2D1	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IXGT28N60B	IXYS	功能相似	Low V IGBT
IXGT20N60BD1	IXYS	功能相似	HiPerFAST IGBT with Diode

与IXGT30N120B3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT30N60B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-268
IXGT30N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGT30N60BU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGT30N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT31N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT

与IXGT30N120B3D1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT30N120B3D1

IXGT30N120B3D1 技术参数

IXGT30N120B3D1 数据手册

IXGT30N120B3D1 替代型号

与IXGT30N120B3D1相关器件

与IXGT30N120B3D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT30N120B3D1

IXGT30N120B3D1 技术参数

IXGT30N120B3D1 数据手册

IXGT30N120B3D1 替代型号

与IXGT30N120B3D1相关器件

与IXGT30N120B3D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？