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IXGT20N60BD1

更新时间： 2024-11-04 23:15:07

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGT20N60BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	150 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	220 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns	Base Number Matches：	1

IXGT20N60BD1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

with Diode

V_CES

I_C25

= 600 V

= 40 A

IXGH 20N60BD1

IXGT 20N60BD1

V_CE(sat)typ= 1.7 V

t_fi(typ)

= 100 ns

Preliminary data

TO-268

(IXGT)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD

(IXGH)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

• Internationalstandardpackages

• HighfrequencyIGBTandantiparallel

FRED in one package

• Highcurrenthandlingcapability

• HiPerFAST^TMHDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

M_d

Mountingtorque(M3)TO-247AD

1.13/10 Nm/lb.in.

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

TO-247AD

TO-268

-drive simplicity

Applications

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Advantages

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

• Space savings (two devices in one

package)

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Very low switching losses for high

frequencyapplications

• Easy to mount with 1 screw,TO-247

(insulated mounting screw hole)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

200 mA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.0

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

1.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98566A (3/99)

1 - 2

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGT30N120B3D1	IXYS	功能相似	GenX3 1200V IGBT

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGT24N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT24N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT24N170A	IXYS	获取价格	High Voltage IGBTs
IXGT24N170A	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT24N170AH1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBTs w/Diode
IXGT24N170AH1	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT24N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3
IXGT24N60C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGT24N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series

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