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IXGT25N250 PDF预览

IXGT25N250

更新时间： 2024-11-06 14:56:31
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 电机驱动双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 240K
描述
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sat)，是并联的理想选择。 该系列产品是电机驱动应用的首选。 借助这种IGBT，电路中原本采用多个级联低压开

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IXGT25N250 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.67外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：2500 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-268AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：409 ns
标称接通时间 (ton)：301 nsBase Number Matches：1

IXGT25N250 数据手册

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Preliminary Technical Information  
IXGH25N250  
IXGT25N250  
IXGV25N250S  
VCES = 2500 V  
IC25 = 60 A  
VCE(sat)≤ 2.9 V  
High Voltage IGBT  
For Capacitor Discharge  
Applications  
TO-247 (IXGH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
2500  
2500  
V
AB)  
E
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
TO-268 (IXGT)  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
60  
25  
A
A
A
G
E
TC = 110°C  
C (TAB)  
TC = 25°C, VGE = 20 V, 1 ms  
200  
SSOA  
(RBSOA)  
V
GE= 20 V, TJ = 125°C, RG = 20 Ω  
ICM = 240  
A
PLUS220SMD (IXGV...S)  
Clamped inductive load @ 1250V  
PC  
TC = 25°C  
250  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
G
E
TJM  
Tstg  
C (TAB)  
-55 ... +150  
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
TSOLD  
Md  
Mounting torque (TO-247)  
1.13/10 Nm/lb-in  
Features  
ꢀ
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
High peak current capability  
Low saturation voltage  
MOS Gate turn-on  
ꢀ
ꢀ
-drive simplicity  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Rugged NPT structure  
Molding epoxies meet UL94V-0  
flammability classification  
Min. Typ. Max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250 μA, VGE = 0 V  
IC = 250 μA, VCE = VGE  
2500  
3.0  
V
Applications  
5.0  
V
ꢀ
Capacitor discharge  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
50  
1
μA  
mA  
ꢀ
Pulser circuits  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100  
nA  
Advantages  
VCE(sat)  
IC = 25 A, VGE = 15 V  
IC = 75 A  
2.9  
5.2  
V
V
ꢀ
High power density  
Suitable for surface mounting  
Easy to mount with 1 screw,  
ꢀ
ꢀ
(isolated mounting screw hole)  
© 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
DS99760 (04/07)  
123456

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与IXGT25N250相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGT25N250HV LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,
IXGT28N120B IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT
IXGT28N120B LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT28N120BD1 IXYS

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 		High Voltage IGBT w/ Diode
IXGT28N120BD1 LITTELFUSE

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 		Low VCE(sat) IGBT with Diode

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