是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-268AA |
包装说明: | D3PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.68 |
其他特性: | FAST | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 48 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间(tf): | 110 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-268AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 130 ns |
标称接通时间 (ton): | 15 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGT25N160 | IXYS |
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High Voltage IGBT | |
IXGT25N160 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? | |
IXGT25N250 | IXYS |
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High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications | |
IXGT25N250 | LITTELFUSE |
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa | |
IXGT25N250HV | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, | |
IXGT28N120B | IXYS |
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High Voltage IGBT | |
IXGT28N120B | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGT28N120BD1 | IXYS |
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High Voltage IGBT w/ Diode | |
IXGT28N120BD1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGT28N30 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |