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IXGT25N250HV

更新时间： 2024-11-21 19:55:35

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	191K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,

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IXGT25N250HV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	2500 V	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXGT25N250HV 数据手册

Advance Technical Information

V_CES= 2500V

I_C110= 25A

V_CE(sat)≤ 2.9V

High Voltage IGBT

For Capacitor Discharge

Applications

IXGT25N250HV

TO-268

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

2500

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Tab = Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, V_GE= 20V, 1ms

200

Features

SSOA

_GE= 20V, T_VJ= 125°C, R_G= 20Ω

I_CM= 240

0.5 • V_CES

^ꢀHigh Blocking Voltage

^ꢀHigh Voltage Package

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

P_C

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Advantages

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

ꢀ

High Power Density

Easy to Mount

ꢀ

Weight

Applications

ꢀ

Capacitor Discharge

Pulser Circuits

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

ꢀ

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

5.0

50 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 25A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 75A

2.9

5.2

DS100508(11/12)

12 3 4 5 6

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