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IXGT28N30B

更新时间： 2024-11-04 23:14:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGT28N30B 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	56 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	90 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns	Base Number Matches：	1

IXGT28N30B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 28N30B

IXGT 28N30B

V_CES

I_C25

= 300 V

= 56 A

V_CE(sat)typ= 2.1 V

t_fi(typ)= 55 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268

(IXGT)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

112

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 56

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

C = Collector,

T_J

-55 ... +150

150

°C

E = Emitter,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface and JEDEC

TO-247 AD

• Highcurrenthandlingcapability

• Newest generation HDMOS^TM

process

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

300

2.5

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Switching speed for high frequency

applications

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.1

2.4

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97530A(9/98)

1 - 2

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