Datasheet > IXGT28N30B

IXGT28N30B

更新时间： 2024-11-17 23:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
HiPerFAST IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT28N30B 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	56 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	90 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns	Base Number Matches：	1

IXGT28N30B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 28N30B

IXGT 28N30B

V_CES

I_C25

= 300 V

= 56 A

V_CE(sat)typ= 2.1 V

t_fi(typ)= 55 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268

(IXGT)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

112

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 56

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

C = Collector,

T_J

-55 ... +150

150

°C

E = Emitter,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface and JEDEC

TO-247 AD

• Highcurrenthandlingcapability

• Newest generation HDMOS^TM

process

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

300

2.5

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Switching speed for high frequency

applications

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.1

2.4

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97530A(9/98)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXGT28N30B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT28N60B	IXYS	获取价格	Low V IGBT
IXGT28N60BD1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGT28N60D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3
IXGT28N90B	IXYS	获取价格	HIPERFAST IGBT
IXGT2N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXGT30N120B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGT30N120B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT30N60B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-268
IXGT30N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT

与IXGT28N30B相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT28N30B

IXGT28N30B 技术参数

IXGT28N30B 数据手册

与IXGT28N30B相关器件

与IXGT28N30B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT28N30B

IXGT28N30B 技术参数

IXGT28N30B 数据手册

与IXGT28N30B相关器件

与IXGT28N30B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？