Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGT28N60BD1

IXGT28N60BD1

更新时间： 2024-11-17 22:07:03

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode

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IXGT28N60BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	400 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	800 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

IXGT28N60BD1 数据手册

LowV_CE(sat)

IGBT with Diode

IXGH 28N60BD1 V_CES= 600 V

IXGT 28N60BD1 I_C25= 40 A

V_CE(sat)= 2.0 V

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

TO-247 AD

(IXGH)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 56

@ 0.8 V_CES

TAB

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

• Internationalstandardpackages

• IGBT and anti-parallel FRED in one

package

M_d

Mountingtorque(M3)TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Low V_CE(sat)

Weight

TO-247

TO-268

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 750 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

• Space savings (two devices in one

package)

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.0

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98567A(7/00)

1 - 2

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGT30N120B3D1	IXYS	功能相似	GenX3 1200V IGBT

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT28N60D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3
IXGT28N90B	IXYS	获取价格	HIPERFAST IGBT
IXGT2N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXGT30N120B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGT30N120B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT30N60B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-268
IXGT30N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT30N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
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