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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | D3PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGT28N90B | IXYS |
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HIPERFAST IGBT |
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| IXGT2N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, |
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| IXGT30N120B3D1 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBT |
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| IXGT30N120B3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGT30N60B | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-268 |
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| IXGT30N60B2 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGT30N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGT30N60BD1 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT with Diode |
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| IXGT30N60BU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGT30N60C2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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