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IXGT28N60D1

更新时间: 2024-11-18 20:53:43
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IXYS 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3

IXGT28N60D1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-268AA
包装说明:D3PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.73最大集电极电流 (IC):40 A
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码:TO-268AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:PURE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXGT28N60D1 数据手册

  

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