Datasheet > IXGT28N30

IXGT28N30

更新时间： 2024-11-04 22:11:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
HiPerFAST IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT28N30 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	56 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	250 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns	Base Number Matches：	1

IXGT28N30 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 28N30

IXGT 28N30

V_CES

I_C25

= 300 V

= 56 A

V_CE(sat)typ= 1.6 V

t_fi(typ)

= 180 ns

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

112

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 56

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

• Highcurrenthandlingcapability

• Newest generation HDMOS^TM

process

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

300

2.5

Advantages

• High power density

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

• Suitableforsurfacemounting

• Switching speed for high frequency

applications

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

1.6

1.8

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97528A(9/98)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXGT28N30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT28N30A	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT28N30B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT28N60B	IXYS	获取价格	Low V IGBT
IXGT28N60BD1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGT28N60D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3
IXGT28N90B	IXYS	获取价格	HIPERFAST IGBT
IXGT2N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXGT30N120B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGT30N120B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT30N60B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-268

与IXGT28N30相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT28N30

IXGT28N30 技术参数

IXGT28N30 数据手册

与IXGT28N30相关器件

与IXGT28N30相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT28N30

IXGT28N30 技术参数

IXGT28N30 数据手册

与IXGT28N30相关器件

与IXGT28N30相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？