是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-268AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 50 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SINGLE | 最大降落时间(tf): | 320 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-268AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 250 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 590 ns | 标称接通时间 (ton): | 63 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGT28N120BD1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT w/ Diode | |
IXGT28N120BD1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGT28N30 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT | |
IXGT28N30A | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT | |
IXGT28N30B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT | |
IXGT28N60B | IXYS |
获取价格 |
Low V IGBT | |
IXGT28N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT with Diode | |
IXGT28N60D1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3 | |
IXGT28N90B | IXYS |
获取价格 |
HIPERFAST IGBT | |
IXGT2N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, |