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IXGT25N160

更新时间： 2024-11-05 11:14:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
High Voltage IGBT

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IXGT25N160 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：TO-268, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.82
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：526 ns
标称接通时间 (ton)：283 ns

IXGT25N160 数据手册

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VCES = 1600 V  
IC25 = 75 A  
VCE(sat)= 2.5 V  
IXGH 25N160  
IXGT 25N160  
High Voltage IGBT  
For Capacitor Discharge  
Applications  
Preliminary Data Sheet  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXGH)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1600  
1600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
G
C
)  
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
75  
25  
A
A
A
TO-268 (IXGT)  
TC = 110°C  
TC = 25°C, VGE = 20 V, 1 ms  
200  
G
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 20 Ω  
Clamped inductive load  
ICM = 100  
@ 0.8 VCES  
A
E
C (TAB)  
PC  
TC = 25°C  
300  
W
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TAB = Collector  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
ꢀ
High peak current capability  
Low saturation voltage  
MOS Gate turn-on  
Maximum Lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s  
300  
°C  
°C  
ꢀ
ꢀ
260  
-drive simplicity  
ꢀ
ꢀ
Md  
Mounting torque (TO-247)  
1.13/10 Nm/lb-in  
Rugged NPT structure  
International standard packages  
- JEDEC TO-268 and  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
- JEDEC TO-247 AD  
ꢀ
Molding epoxies meet UL94 V-0  
flammability classification  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Applications  
ꢀ
Capacitor discharge  
ꢀ
Pulser circuits  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250 μA, VGE = 0 V  
IC = 250 μA, VCE = VGE  
1600  
3.0  
V
V
5.0  
Advantages  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
50  
1
μA  
ꢀ
High power density  
TJ = 125°C  
mA  
ꢀ
Suitable for surface mounting  
ꢀ
Easy to mount with 1 screw,  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±30 V  
±100  
nA  
(isolated mounting screw hole)  
VCE(sat)  
IC = IC110, VGE = 15 V  
IC = 100 A, VGE = 20 V  
2.5  
4.7  
V
V
© 2005 IXYS All rights reserved  
DS99381(12/05)  
12345

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