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IXGT24N170AH1

更新时间： 2024-11-05 11:14:11

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	224K
描述
High Voltage IGBTs w/Diode

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IXGT24N170AH1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.67
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	24 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	80 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	456 ns	标称接通时间 (ton)：	54 ns
Base Number Matches：	1

IXGT24N170AH1 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage

IGBTs w/Diode

V_CES= 1700V

I_C25= 24A

V_CE(sat)≤ 6.0V

t_fi(typ)= 40ns

IXGH24N170AH1

IXGT24N170AH1

TO-247 (IXGH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

1700

C (TAB)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

TO-268 (IXGT)

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 50

0.8 • V_CES

Clamped Inductive Load

C (TAB)

t_SC

P_C

T_J= 125°C, V_CE= 1200V, V_GE= 15V, R_G= 22Ω

T_C= 25°C

μs

250

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Features

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zInternational Standard Packages

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

1700

3.0

^zPower Inverters

^zUPS

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

100 μA

1.5 mA

^zMotor Drives

^zSMPS

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zPFC Circuits

^zWelding Machines

V_CE(sat)

I_C= 16A, V_GE= 15V, Note 1

4.5

4.8

6.0

T_J= 125°C

DS99413A(05/09)

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT24N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3
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IXGT24N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
IXGT25N160	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT25N160	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT25N250	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications
IXGT25N250	LITTELFUSE	获取价格	NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。具有正温度系数Vce(sa
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