是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.73 | 其他特性: | LOW SWITCHING LOSSES |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 30 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE |
最大降落时间(tf): | 190 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-268AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 470 ns | 标称接通时间 (ton): | 43 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGT15N120B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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IXGT15N120B2D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |
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IXGT15N120BD1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode |
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IXGT15N120C | IXYS |
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IGBT Lightspeed Series |
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IXGT15N120CD1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode |
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IXGT16N170 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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IXGT16N170 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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IXGT16N170A | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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IXGT16N170A | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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IXGT16N170AH1 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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