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IXGT15N120BD1

更新时间： 2024-02-08 05:54:06

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IXYS		二极管双极性晶体管
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2页	58K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode

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IXGT15N120BD1 数据手册

Low V_CE(sat)IGBT with Diode

High Speed IGBT with Diode

V_DSS

I_C25V_CE(sat)

IXGH/IXGT 15N120BD1

IXGH/IXGT 15N120CD1

1200 V 30 A 3.2 V

1200 V 30 A 3.8 V

Preliminary data

TO-247AD

(IXGH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TAB

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268

(IXGT)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10 W

I_CM= 40

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

260

6/4

°C

• Internationalstandardpackages:

JEDEC TO-247AD & TO-268

• IGBT and anti-parallel FRED in one

package

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

Maximumtabtemperature

soldering SMD devices for 10s

Weight

TO-247AD/TO-268

• Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 A, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

500 mA

Advantages

• Saves space (two devices in one

package)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Reduces assembly time and cost

V_CE(sat)

I_C

= I_C90,V_GE= 15 V

15N120BD1

15N120CD1

3.2

3.8

Note 2

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98658A(7/00)

1 - 2

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IXGT15N120BD1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGT15N120CD1	IXYS	完全替代	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGT20N120BD1	IXYS	类似代替	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXGT28N120BD1	IXYS	类似代替	High Voltage IGBT w/ Diode

与IXGT15N120BD1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT15N120C	IXYS	获取价格	IGBT Lightspeed Series
IXGT15N120CD1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGT16N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT16N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT16N170AH1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT16N170AH1	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT20N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGT20N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对

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