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IXGT20N120BD1

更新时间： 2024-11-05 20:01:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	492K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXGT20N120BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	630 ns
标称接通时间 (ton)：	43 ns	Base Number Matches：	1

IXGT20N120BD1 数据手册

High Voltage IGBT with Diode

V_CES

I_C25

= 1200 V

= 40 A

IXGH 20N120BD1

IXGT 20N120BD1

V_CE(sat)= 3.4 V

t_fi(typ)

= 160 ns

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD

(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

TAB

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

TO-268

(IXGT)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

100

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 80

@0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

190

G = Gate

C = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

E = Emitter

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mounting torque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

^zInternational standard packages:

JEDEC TO-247AD & TO-268

^zIGBT and anti-parallel FRED for

resonant power supplies

- Induction heating

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

260

6/4

°C

Maximum tab temperature

soldering SMD devices for 10s

- Rice cookers

^zMOS Gate turn-on

Weight

TO-247AD/TO-268

- drive simplicity

^zFast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Advantages

^zSaves space (two devices in one

package)

Easy to mount with 1 screw

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 µA, V_GE= 0 V

1200

2.5

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

5.0

(isolated mounting screw hole)

Reduces assembly time and cost

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

150 µA

µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100 nA

V_CE(sat)

I_C

= 20A_,V_GE= 15 V

2.9

2.8

3.4

Note 2

T_J=125°C

DS98985E(07/03)

12 3 4 5

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IXGT20N120BD1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGT28N120BD1	IXYS	类似代替	High Voltage IGBT w/ Diode
IXGT15N120BD1	IXYS	类似代替	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGT15N120CD1	IXYS	类似代替	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode

与IXGT20N120BD1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT20N140C3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
IXGT20N140C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT20N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT20N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT22N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT24N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT24N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT24N170A	IXYS	获取价格	High Voltage IGBTs
IXGT24N170A	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT24N170AH1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBTs w/Diode

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