品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 219K | |
描述 | ||
功能与特色: 应用:? |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.66 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 32 A | 集电极-发射极最大电压: | 1700 V |
配置: | SINGLE | 最大降落时间(tf): | 1100 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 190 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 1600 ns | 标称接通时间 (ton): | 90 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGT16N170A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT | |
IXGT16N170A | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? | |
IXGT16N170AH1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT | |
IXGT16N170AH1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? | |
IXGT20N100 | IXYS |
获取价格 |
IGBT | |
IXGT20N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGT20N120 | IXYS |
获取价格 |
IGBT | |
IXGT20N120B | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT | |
IXGT20N120B | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGT20N120BD1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, |