Datasheet > IXGT15N120C

IXGT15N120C

更新时间： 2024-11-04 23:15:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
IGBT Lightspeed Series

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT15N120C 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	其他特性：	LOW SWITCHING LOSSES
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	190 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	470 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGT15N120C 数据手册

IXGH 15N120C V_CES= 1200 V

IGBT

Lightspeed Series

IXGT 15N120C I_C25

V_CE(sat)

30 A

3.8 V

t_fi(typ)

= 115 ns

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268 (IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

TO-247 AD (IXGH)

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

I_CM= 40

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

• Low switching losses

• MOS Gate turn-on

Weight

TO-247 AD

TO-268

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1200

2.5

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

3.5 mA

Advantages

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

3.8

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(mountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

T_J= 125°C

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98633A(7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXGT15N120C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT15N120CD1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGT16N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT16N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT16N170AH1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT16N170AH1	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT20N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGT20N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGT20N120	IXYS	获取价格	IGBT

与IXGT15N120C相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT15N120C

IXGT15N120C 技术参数

IXGT15N120C 数据手册

与IXGT15N120C相关器件

与IXGT15N120C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT15N120C

IXGT15N120C 技术参数

IXGT15N120C 数据手册

与IXGT15N120C相关器件

与IXGT15N120C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？